電子部品

半導体

  • 高速検査
  • 高精度検査

ウェハチップ外観検査装置(ダイシング後)

特徴

  • 本装置はウェハダイシング後のチップを外観検査する装置です。
  • 検査精度に合わせた画像分解能が選択可能です。(約0.8um~2.0μm/pixel)ミクロ検査(0.2um~2.0um分解能)
  • 表裏同時検査(オプション)
  • NGチップリジェクト機能(オプション)
  • NGチップマーキング機能(オプション)
  • 全数の排除ミス・マーキングミスチェック機能(オプション)
  • ID読込み及びマッピングデータ出力機能(オプション)
  • 外観検査とNGリジェクトを平行して行う、2ステージ仕様も選択可。

概要

■装置概略図

■ビューワソフト

 

  • 検査結果マップ表示機能
  • NGチップ拡大表示機能
  • 不良分類表示機能(不良項目/検査総数/OK/NG)

■検査項目

 ダイシング不良(ワレ・欠け)、スクラッチ、変色、異物、パターンずれ、パターン欠損、レジスト残留、塗布不良、など

■対象製品(例)

 各種ウェハ、パワー半導体、CMOSイメージセンサ、LED、フォトダイオード

仕様

ソフトウェア 多機能画像検査ソフト Hu-Dra
カメラ 320万画素3CMOSカラーエリアカメラ(検査)
16,000画素モノクロラインカメラ(プレスキャン)
装置サイズ 1,450W×1,640D×1,800H mm
パトライト、HEPA除く
処理能力 外観検査時間;分解能1.5μm時 約2分(2inch;チップサイズ約1mm)
排除時間;3~6チップ/秒(チップサイズ、シートの種類により変動します。)
マーキング時間;インカーの場合 3~4チップ/秒
その他 レンズ、照明はワークと検査内容により、選定する場合があります。